KAIST 전자전산학과 박사과정에 재학중인 이현진(28)씨가 지난 13일 일본 교토에서 열린 저명 국제 학술회의 ‘초고집적회로 심포지엄(Symposium on VLSI Technology)’에서 ‘최우수 학생논문상(Best Student Paper Award)’을 수상했다. 국내 이공계 대학원생이 국내대학에서 연구한 결과로 이 상을 받기는 처음이다.
이씨는 지난 2006년 발표한 ‘전면게이트 나노전자소자 구조를 통한 5나노미터(nm) 이하급 트랜지스터 개발(Sub-5nm All-Around Gate FinFET for Ultimate Scaling)’ 논문으로 이 상을 수상했다. 이 논문은 차세대 테라급 반도체소자의 새로운 구조 제안 및 개발에 관한 기술로 기존의 실리콘 반도체 기술의 한계를 진
일보시켰다는 평가를 받고 있다.
특히, 상온에서 동작할 수 있는 소자의 물리적 한계인 1.5nm에 근접한 극한의 나노전자소자 기술로 국제적인 학회에서 연구결과를 인정받았다는 점에서 의미가 크다.
이씨는 학생 신분으로는 한 번도 발표하기 어렵다고 알려진 이 심포지엄에서 2005년, 2006년, 2007년 3년 연속으로 논문을 발표할 정도로 이 분야에서 실력을 인정받고 있다.
이 ‘최우수 학생논문상’은 국제전기전자기술협회(IEEE, The IEEE Electron Devices Society)와 일본응용물리협회(AP, The Japan Society of Applied Physics)가 초고밀도집적회로(VLSI) 기술 분야에서 뛰어난 논문을 선정 시상한다.
올해로 27회를 맞이하고 있는 초고집적회로 심포지엄(Symposium on VLSI Technology)은 매년 미국 하와이와 일본 교토에서 번갈아 열리는 세계 최고 수준의 반도체 국제학술회의다.
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