삼성전자는 이날 나노시티 화성캠퍼스에서 이건희 삼성그룹 회장 등이 참석한 가운데 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사를 개최했다고 밝혔다.
낸드 플래시를 주력으로 양산하는 메모리 16라인(20만㎡·12층 규모)은 지난해 5월 착공에 들어가 1년 3개월만에 본격 가동에 들어갔다.
삼성전자는 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하기 시작했고, 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.
이와 함께 이날 20나노급 2Gb D램의 양산도 시작했다. 세계 최초다.
20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.
삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 예정이다.
삼성전자는 앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 고객에게 가치를 제공하는 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대해 나갈 방침이다.
삼성전자 관계자는 "이번 메모리 6라인 가동과 20나노급 D램 양산으로 메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT 시장을 지속 성장시켜 한 단계 더 도약하는 발판이 될 것"이라고 말했다.
이정하 기자 jungha98@newsis.com
저작권자 © 일요서울i 무단전재 및 재배포 금지
