이번에 출시된 낸디형 플래시 메모리는 고속의 정보 입력에 적합한 2차 영역과 데이터 저장량을 높인 다치 셀을 하나의 칩에 구현해 냈다. 이를 통해 칩의 수를 줄이고 공간을 줄임으로써 최대 32기가 비트의 고속 정보 입력이 가능하고 2치 논리를 적용한 기억 영역은 용도에 맞게 최대 8기가 비트까지 자유롭게 저장을 할 수 있어 보다 다양한 기능을 가진 휴대폰 생산이 가능해 졌다. 또한 기존 대용량 메모리가 가진 카드 형태의 인터페이스 대신 보다 사용이 쉽고 범용적인 낸디 인터페이스를 채택해 기존 제품과 쉽게 전환을 할 수 있다는 장점이 있다.
정보 입력과 제거의 블록 관리가 필요 없는 논리 어드레스 액세스 방식의 제어 기능과 에러 정정(ECC) 처리 등의 일련의 제어도 실행할 수 있어 호스트 컨트롤러의 부하와 사용자에 의한 새로운 개발 부하를 경감시킨다.
송효찬 s2501@dailysun.com
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